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J-GLOBAL ID：200903002847092031

化合物半導体基板の製造方法

Inventor： 西村 孝之 ,  片浜 久 ,  石原 宏
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991050939
Publication number (International publication number)：1993036605
Application date： Mar. 15, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】単結晶基板上に結晶欠陷の少ない化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させることが出来るような化合物半導体基板の製造方法を提供する。【構成】単結晶基板上に化合物半導体薄膜を通常の成長温度でエピタキシャル成長させ、この後所定の温度条件下、所定の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて前記所定の温度より上下させた温度での熱処理を少なくとも1回行なう。【効果】単結晶基板上に成長させた化合物半導体薄膜の転位密度及び基板の反りを低減させることができ、結晶性が向上した化合物半導体基板を製造することができる。従って、結晶性のよい大面積の電子デバイス用化合物半導体基板を提供することが可能となる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる化合物半導体基板の製造方法において、前記化合物半導体薄膜を通常の成長温度で成長させ、この後所定の温度条件下、所定の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて前記所定の温度より上下させた温度での熱処理を少なくとも1回行なうことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/56 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-051828
  
• 特開平2-261676
  
• 特開昭60-209141