半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000399294
Publication number (International publication number)：2002203857
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】配線周囲の絶縁膜が剥がれる現象が生じることのないCu系配線を備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板(1)上に形成された絶縁層(2)と、この絶縁層(2)に形成された配線パターン溝(3)と、この配線パターン溝(3)の内面に形成された導電性拡散防止層(4)と、内面に導電性拡散防止層(4)が形成された配線パターン溝内に形成されたCu系配線(6)とを具備し、前記Cu系配線(6)の硫黄の含有量は、100原子ppm以上、1原子%以下、であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたCu系金属を主体とするCu系配線層と、このCu系配線層の周囲に形成された絶縁層とを具備し、前記Cu系金属中の硫黄の含有量は、100原子ppm以上、1原子%以下であることを特徴とする半導体装置。

F-Term (23)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033LL01 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ85 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-193477 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-062901 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-350393 Applicant：富士通株式会社

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