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J-GLOBAL ID:200903002850517078

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000399294
Publication number (International publication number):2002203857
Application date: Dec. 27, 2000
Publication date: Jul. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 配線周囲の絶縁膜が剥がれる現象が生じることのないCu系配線を備える半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板(1)上に形成された絶縁層(2)と、この絶縁層(2)に形成された配線パターン溝(3)と、この配線パターン溝(3)の内面に形成された導電性拡散防止層(4)と、内面に導電性拡散防止層(4)が形成された配線パターン溝内に形成されたCu系配線(6)とを具備し、前記Cu系配線(6)の硫黄の含有量は、100原子ppm以上、1原子%以下、であることを特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成されたCu系金属を主体とするCu系配線層と、このCu系配線層の周囲に形成された絶縁層とを具備し、前記Cu系金属中の硫黄の含有量は、100原子ppm以上、1原子%以下であることを特徴とする半導体装置。
F-Term (23):
5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033LL01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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