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J-GLOBAL ID：200903002852074149

固体撮像素子

Inventor：
渡邉 武人

About 渡邉 武人


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006016533
Publication number (International publication number)：2007201088
Application date： Jan. 25, 2006
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：
【課題】白キズの発生を効果的に抑えることが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子は、垂直CCD5に読み出される電荷を蓄積するn型の不純物からなるn層2と、n層2上に形成されたp型の不純物からなるp層3とを含む光電変換素子を有し、p層3は、不純物濃度が相対的に低い低濃度不純物層3aと、低濃度不純物層3aの表面部で且つ平面視において低濃度不純物層3aの内側の領域に形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度不純物層3bとからなる。【選択図】図1
Claim 1：
CCD型の固体撮像素子であって、 CCDに読み出される電荷を蓄積する第一の導電型の不純物からなる第一の不純物層と、 前記第一の不純物層上に形成された前記第一の導電型とは反対の第二の導電型の不純物からなる第二の不純物層とを含む光電変換素子とを備え、 前記第二の不純物層は、不純物濃度が相対的に低い低濃度不純物層と、前記低濃度不純物層の表面部に形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度不純物層とからなり、 前記高濃度不純物層は、その受光面以外が前記低濃度不純物層によって囲まれている固体撮像素子。
IPC (3)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/10
FI (4)：
H01L27/14 B ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 F ,  H01L31/10 A
F-Term (22)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA28 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  5C024AX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GY01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049UA14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)
  • 固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-165315   Applicant：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
  • CMOSイメージセンサ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-369171   Applicant：東部亞南半導體株式會社

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