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J-GLOBAL ID：200903002856653232

光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法

Inventor：
尾坂 格

About 尾坂 格

, 
林 誠之

About 林 誠之


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005240010
Publication number (International publication number)：2007059467
Application date： Aug. 22, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：
【課題】光電変換効率が高く、さらに吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。【解決手段】下記一般式で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。(式中、R11〜R14はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1A、R1Bはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、X11、X12はそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を表す。)【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも一つ含むことを特徴とする光電変換膜。 一般式(1)
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 51/42 ,  H01L 31/10
FI (3)：
H01L27/14 E ,  H01L31/08 T ,  H01L31/10 A
F-Term (39)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118DB16 ,  4M118DD03 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118GB02 ,  4M118GB11 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA03 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088AB11 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088GA04 ,  5F088HA05 ,  5F088HA20 ,  5F088LA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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