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J-GLOBAL ID：200903002864080012

液相エピタキシャル成長装置

Inventor： 熊取谷 誠人 ,  藤野 優 ,  水埜 嗣伸 ,  青田 充弘 ,  関島 雄徳 ,  鷹木 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 筒井 秀隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992231339
Publication number (International publication number)：1994056573
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】下地基板が溶剤の蒸気に直接さらされることなく十分に予熱工程を行い、良質な単結晶膜を得ることができる液相エピタキシャル成長装置を提供すること。【構成】炉心管は上下に2分割され、その間を水平方向から挿入された扉によって仕切可能となっている。下地基板の予熱工程および育成後の徐冷工程では扉を閉じておき、下地基板の溶剤の蒸気による汚染を防止する。

Claim (excerpt)：

縦型円筒状炉心管の中に坩堝を配置し、炉心管をヒータで加熱することにより坩堝内の単結晶原料を溶解し、この溶液内に下地基板を浸漬して液相エピタキシャル法により下地基板の表面に単結晶膜を育成する液相エピタキシャル成長装置において、上記坩堝の直上に、炉心管を上下に仕切可能な扉を水平方向に移動可能に設けたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-031385
  
• 特開昭60-195090