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J-GLOBAL ID：200903002865669036

薄膜EL素子

Inventor： 高 青竹 ,  見田 充郎 ,  坂本 勝昭 ,  長谷川 達志
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000797
Publication number (International publication number)：1993182768
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 絶縁耐圧が高く、かつ、L40の高い薄膜EL素子を実現する。【構成】 第一層絶縁膜3を発光膜5に近い側から順に、Si3 N4 :H膜3bとSiO2 膜3aを配置した複合絶縁膜とし、第二層絶縁膜7をSi3 N4 :H膜7bとSiO2 膜7aを発光膜5を挟んで第一層絶縁膜3と対称になるように配置した複合絶縁膜とする。また、Si3 N4 :H膜3b,7bと発光膜5との間にZnS膜4,6を配置する。緻密なSi3 N4 :H膜を形成することにより、膜形成時のストレスを緩和し、さらに欠陥やダングリングボンド等を低減して絶縁耐圧の高い絶縁膜を形成することができる。また、ZnS膜の電荷注入機能により、さらに発光輝度が向上する。

Claim 1：

アルカリ土類硫化物を発光材料とし、かつ、発光膜の両側を絶縁膜で挟んだ薄膜EL素子において、該絶縁膜をSiO2 膜とSi3 N4 :H膜を該発光膜に対して対称的に積層した複合絶縁膜で構成したことを特徴とする薄膜EL素子。

IPC (2)：

H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365