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J-GLOBAL ID：200903002869319633

遷移金属酸化物光伝導デバイス

Inventor： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹 ,  上田 寛
Applicant, Patent owner： 廣井 善二 ,  村岡 祐治 ,  山内 徹
Agent (1)： 小山 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002332735
Publication number (International publication number)：2004172164
Application date： Nov. 15, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】遷移金属酸化物の電気伝導性を光を用いて制御した光デバイスを提供する。【解決手段】光照射を行うことによってn型のチタンを含む酸化物基板内に生成したホールが遷移金属酸化物薄膜に流れ込むことによって遷移金属酸化物のホール濃度が変化し、その電気伝導性が大きく変わる。照射する光の強度をコントロールすることによりホール濃度を自由に変化させることが可能になる。この方法を光キャリア注入法(Photocarrier injection method:PCI法)と呼ぶ。【選択図】 図8

Claim (excerpt)：

n型半導体特性を有する各種のチタンを含む酸化物上に、光を照射することによって電気伝導性が制御される遷移金属酸化物薄膜が形成されていることを特徴とする遷移金属酸化物光伝導デバイス。

IPC (1)：

H01L31/0264

FI (1)：

H01L31/08 M

F-Term (9)：

5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088BB06 ,  5F088CB05 ,  5F088DA05 ,  5F088FA09 ,  5F088GA03 ,  5F088LA03 ,  5F088LA05