Pat
J-GLOBAL ID:200903002882910057
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000247605
Publication number (International publication number):2002064077
Application date: Aug. 17, 2000
Publication date: Feb. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウェハーのクラックからスピンエッチング装置(ウェットエッチング装置)のチャックへエッチング液が滲入したことを検知し、スピンエッチング装置の稼動を自動的に停止する。【解決手段】 チャックを構成し、半導体ウェハーを搭載するステージ15の最外周部に、ステージ15へのエッチング液の滲入を検知するセンサー16を設ける。また、ステージ15の内部に、エッチング液の滲入を検知した信号をセンサー16から受信し、その信号をウェットエッチング装置を制御する電気信号に変換し、ウェットエッチング装置の稼動を制御する電気信号を発信する発信機17を設ける。
Claim (excerpt):
半導体ウェハを保持するチャックを有し、前記半導体ウェハまたは前記半導体ウェハに堆積された薄膜をウェットエッチングする半導体製造装置であって、前記チャックは前記半導体ウェハを搭載するステージを有し、前記ステージの一部には、前記半導体ウェハと前記ステージとの間の隙間へのエッチング液の滲入を検知するセンサーが設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
F-Term (5):
5F043AA01
, 5F043AA28
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE40
Return to Previous Page