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J-GLOBAL ID：200903002883264795
半導体結晶層の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
佐々木 宗治 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320734
Publication number (International publication number)：1994069127
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 大粒径の多結晶で、配向も良好な半導体結晶層を、高速かつ大面積で簡易にできる半導体結晶層の製造方法を提供する。【構成】 絶縁体層の上に非晶質半導体層を形成し、この非晶質半導体層を、高温度勾配を有する温度条件になるように火焔により加熱することでアニールし、かつこのアニール領域を相対的に移動させることにより絶縁体層上に多結晶半導体を形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁体層の上に非晶質半導体層を形成し、この非晶質半導体層を、高温度勾配を有する温度条件になるように火焔により加熱することでアニールし、かつこのアニール領域を相対的に移動させることにより、上記絶縁体層上に多結晶半導体を形成する半導体結晶層の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/20
, H01L 21/324
, H01L 27/12
