Cat-PECVD法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002222430
Publication number (International publication number)：2004056062
Application date： Jul. 31, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】高速かつ高品質に、大面積にわたって膜厚・膜質ともに均一性の高い状態で製膜することができ、かつ高い生産性を実現できる方法、それによって形成された膜、およびその膜を用いた薄膜デバイスを提供すること。【解決手段】分子式にSiおよび/またはCを含むガスを含んだ原料系ガスと、ガス導入経路に配設された熱触媒体によって加熱される分子式にSiとCを含まないガスからなる非Si非C系ガスとが、それぞれ分離された状態で、製膜空間に設置された中空構造を有したアンテナ電極の中空部を通って該アンテナ電極に設けられた複数のガス噴出口から前記製膜空間に噴出され、該製膜空間に噴出されて混合したガスは、高周波電源に接続された前記アンテナ電極によって生成されたプラズマによって分解・活性化されて、前記製膜空間において前記アンテナ電極に対向して配置された基体に膜が堆積されることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

分子式にSiおよび/またはCを含むガスを含んだ原料系ガスと、ガス導入経路に配設された熱触媒体によって加熱される分子式にSiとCを含まないガスからなる非Si非C系ガスとが、それぞれ分離された状態で、製膜空間に設置された中空構造を有したアンテナ電極の中空部を通って該アンテナ電極に設けられた複数のガス噴出口から前記製膜空間に噴出され、該製膜空間に噴出されて混合したガスは、高周波電源に接続された前記アンテナ電極によって生成されたプラズマによって分解・活性化されて、前記製膜空間において前記アンテナ電極に対向して配置された基体に膜が堆積されるCat-PECVD法であって、前記アンテナ電極は複数の中空空間を有する構造を有しており、前記分離導入されるガスはそれぞれ異なった中空空間を通してアンテナ電極から噴出されることを特徴とするCat-PECVD法。

IPC (5)：

H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L31/04

FI (5)：

H01L21/205 , C23C16/44 A , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L31/04 V

F-Term (58)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030CA14 , 4K030CA17 , 4K030EA03 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030FA14 , 4K030JA06 , 4K030JA17 , 4K030KA25 , 4K030LA04 , 4K030LA11 , 4K030LA16 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB40 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AF10 , 5F045BB08 , 5F045CA13 , 5F045DP20 , 5F045DQ10 , 5F045EH02 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CA16 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA14 , 5F051FA19 , 5F051FA22 , 5F051GA03 , 5F051GA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

プラズマCVD法およびそれに用いる装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-130858 Applicant：京セラ株式会社
半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-371343 Applicant：ソニー株式会社
薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-285210 Applicant：株式会社東芝

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