ゲート電極の形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328023
Publication number (International publication number)：1999162995
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】プロセスを簡略化するとともにプロセス工程に依存する寸法のばらつきを抑制し、微細なゲートを制御良く、再現良く形成する方法を提供する。【解決手段】半導体基板110上に形成した絶縁膜111に開口パターンを形成し、この開口パターンにゲート電極金属を埋め込む電極形成方法であって、開口パターン118の断面パターンの上部の傾斜角と下部の傾斜角が異なり、断面パターンがY字型になるように、絶縁膜111の開口パターンを異方性エッチングを用いて形成する。この開口部にゲート電極を埋め込み、微細ゲート長を有するゲート電極124が形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成した絶縁膜に開口形状を形成し、該絶縁膜開口形状にゲート電極金属を埋め込む電極形成方法において、形成された絶縁膜開口形状の断面パターンを上層部分と下層部分でパターン開口側面の傾斜角の相違する二種類の開口パターンにより形成することを特徴とするゲート電極の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 29/44 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-007572
電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-332965 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-238636

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