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J-GLOBAL ID：200903002895631548

マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： 真白 すぴか
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 鈴木 正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992034154
Publication number (International publication number)：1993206071
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 安定したプラズマが得られ、且つ不純物汚染が発生しなく、メンテナンス性の良好なマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目的としている。【構成】 プラズマ発生室1に基板搬送室2が連設してあり、プラズマ発生室1のマイクロ波導入窓4に導波管5を介してマイクロ波電源6が接続してあると共に、プラズマ発生室1の外側に空芯ソレノイドコイル3が設置してある。プラズマ発生室1の内側にカーボン製の有頂筒19を設置し、プラズマ発生室1の内壁を金属以外の導電製材料で覆ってある。有頂筒19はプラズマ発生室(ステンレス製)1と導電性の接続リング18を介して電気的に接続してある。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生室内で、マイクロ波により発生する電場と、該電場に直行する磁場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマ中のイオンを高周波電圧の印加により加速して高周波印加電極上の被処理基板表面の処理をするマイクロ波プラズマ処理装置において、前記プラズマ発生室のマイクロ波導入窓部分以外の壁面を金属以外の導電性材料からなる内壁で覆い、該内壁をアース電位と電気的に接続したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/40 ,  C30B 25/08 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特表平5-502336
  
• 特開平1-231321
  
• 特開昭63-030601