Pat

J-GLOBAL ID：200903002897323344

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 真峯 隆義 ,  松澤 伸行 ,  岸井 典之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999094973
Publication number (International publication number)：2000294523
Application date： Apr. 01, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】アブレーションによる十分に精密なパターンの形成が可能である半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ表面に第1の波長の光を照射する光源と、前記第1の波長の光の少なくとも一部を透過させるマスクとを有し、前記ウェハの前記第1の波長の光が照射される部分の材料をガス化して除去する半導体製造装置であって、前記光源は、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、前記第1の波長よりも長波長である第2の波長の光を発生する光発生手段とを有し、前記第1の波長の光は、前記電子ビーム中の電子と前記第2の波長の光のフォトンとの衝突により、前記電子のエネルギーが前記フォトンに与えられた逆コンプトン散乱光である半導体製造装置、およびこれを用いた半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

ウェハ表面に第1の波長の光を照射する光源と、前記第1の波長の光の少なくとも一部を透過させるマスクとを有し、前記ウェハの前記第1の波長の光が照射される部分の材料をガス化して除去する半導体製造装置であって、前記光源は、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、前記第1の波長よりも長波長である第2の波長の光を発生する光発生手段とを有し、前記第1の波長の光は、前記電子ビーム中の電子と前記第2の波長の光のフォトンとの衝突により、前記電子のエネルギーが前記フォトンに与えられた逆コンプトン散乱光である半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/30 502 D

F-Term (15)：

5F004BA20 ,  5F004BB01 ,  5F004BB02 ,  5F004BB04 ,  5F004BB31 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA00 ,  5F004EA38 ,  5F046AA01 ,  5F046AA28 ,  5F046CA03 ,  5F046GC03 ,  5F046GC04 ,  5F046GC05