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J-GLOBAL ID:200903002897853912

ダイヤモンド状薄膜の合成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994109661
Publication number (International publication number):1995316815
Application date: May. 24, 1994
Publication date: Dec. 05, 1995
Summary:
【要約】【目的】 残留応力が小さく硬質なダイヤモンド状薄膜を高付着力で形成する。【構成】 真空槽5中のフィラメント6を加熱し、このフィラメント6より放出させた熱電子を正電位が印加されたメッシュ状電極7で加速する。原料ガスは、この熱電子によりプラズマ化され、このプラズマは、バイアス電源9により負電位が印加された基材8に加速衝突し基材8上にダイヤモンド状膜が堆積される。【効果】 原料ガスには、トルエン等のベンゼン環にアルキル基が結合したアルキルベンゼンを用いることで、残留応力が小さく高硬度のダイヤモンド状薄膜を形成できる。
Claim (excerpt):
ベンゼン環に少なくとも一つ以上のアルキル基が結合したアルキルベンゼンを原料とし、これをプラズマ化してプラズマ中のイオンやラジカルを利用してダイヤモンド状薄膜を形成するダイヤモンド状薄膜の合成方法。
IPC (5):
C23C 16/26 ,  C01B 31/06 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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