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J-GLOBAL ID：200903002898578710

弾性表面波デバイス

Inventor：
森田 孝夫

About 森田 孝夫

, 
大脇 卓弥

About 大脇 卓弥


Applicant, Patent owner：
エプソントヨコム株式会社

About エプソントヨコム株式会社


Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005011286
Publication number (International publication number)：2006203408
Application date： Jan. 19, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【課題】水晶基板を用いたSAWデバイスにおいて、通電時の周波数変動を抑圧したSAWデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】圧電基板1と、圧電基板1上にAl又はAlを主成分とする合金の金属膜で形成したIDT2とを備え、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、圧電基板1は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に-64.0°<θ<-49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、IDT2の電極指間スペースには溝12が形成され、溝12の深さをHp、金属膜11の膜厚をHmとした時に、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12(ただし、H=Hp+Hm)の範囲に設定する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
圧電基板と、該圧電基板上にAl又はAlを主成分とする合金の金属膜で形成したIDTとを備え、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、 前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に-64.0°<θ<-49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、 前記IDTの電極指間スペースには溝が形成され、溝の深さをHp、金属膜の膜厚をHmとした時に、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12(ただし、H=Hp+Hm)の範囲に設定することを特徴とした弾性表面波デバイス。
IPC (2)：
H03H 9/25 ,  H03H 9/145
FI (2)：
H03H9/25 C ,  H03H9/145 C
F-Term (6)：
5J097AA21 ,  5J097DD28 ,  5J097EE02 ,  5J097GG02 ,  5J097GG07 ,  5J097KK09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特公昭62-016050号
  • 特公平01-034411号
  • 特願2004-310452号
Cited by examiner (4)
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