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J-GLOBAL ID：200903002901058839

多層ガラスセラミック基板とその製造方法

Inventor： 生稲 一洋 ,  木村 光
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094718
Publication number (International publication number)：1994305770
Application date： Apr. 22, 1993
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 1000°C以下の低温で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気で焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラスセラミック基板およびその製造方法を提供する。【構成】 ガラスセラミック基板が、アルミナ、ホウケイ酸径ガラス、アノーサイト結晶およびセルシアン結晶からなる無機組成物であって、アルミナ12〜59.6重量%、ホウケイ酸径ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜40重量%、セルシアン結晶1〜5重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を上記ガラスセラミック層を介して積層されている。

Claim (excerpt)：

ガラスセラミック層が、アルミナ,ホウケイ酸系ガラス,アノーサイト結晶およびセルシアン結晶からなる無機組成物であって、アルミナ12〜59.6重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜40重量%、セルシアン結晶1〜5重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を上記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。

IPC (11)：

C03C 3/091 ,  B28B 11/02 ,  C03C 3/093 ,  C03C 4/00 ,  C03C 10/04 ,  C03C 17/06 ,  C03C 27/06 ,  C04B 35/16 ,  C04B 37/00 ,  C04B 41/88 ,  H05K 3/46