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J-GLOBAL ID:200903002906149255

非還元性誘電体磁器組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡田 全啓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991183579
Publication number (International publication number):1993009068
Application date: Jun. 27, 1991
Publication date: Jan. 19, 1993
Summary:
【要約】【目的】 低酸素分圧下でも組織が半導体化せず焼成可能で、誘電率が3000以上、絶縁抵抗がlogIRで11.0以上で、誘電率の温度特性が25°Cの容量値を基準とし、-55°C〜125°Cの広い範囲で±15%の範囲内にあることを満足する非還元性誘電体磁器組成物を得る。【構成】 不純物としてのアルカリ金属酸化物含有量が、0.04重量%以下のBaTiO3 とTb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3の中の1種類以上の希土類酸化物(Re2 O3 )とCo2 O3 との配合比が、BaTiO3 92.0〜99.4モル%とRe2 O3 0.3〜4.0モル%とCo2 O3 0.3〜4.0モル%との範囲内の主成分100モル%に、BaO0.2〜4.0モル%とMnO0.2〜3.0モル%とMgO0.5〜5.0モル%とからなる副成分を含有する非還元性誘電体磁器組成物である。
Claim (excerpt):
不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が0.04重量%以下のBaTiO3 と、Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3 の中から選ばれる少なくとも1種類の希土類酸化物(Re2 O3 )と、Co2 O3 との配合比が、BaTiO3 92.0〜99.4モル%、Re2 O3 0.3〜4.0モル%、およびCo2 O3 0.3〜4.0モル%の範囲内にある主成分100モル%に対し、副成分として、BaO 0.2〜4.0モル%、MnO 0.2〜3.0モル%、およびMgO 0.5〜5.0モル%を含有する、非還元性誘電体磁器組成物。
IPC (3):
C04B 35/46 ,  H01B 3/12 303 ,  H01B 3/12 341

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