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J-GLOBAL ID：200903002910459412
半導体レーザ素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992356919
Publication number (International publication number)：1994196823
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 遠視野像に乱れのないエッチドミラー半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 エッチングにより形成した共振器面を有する半導体レーザ素子の製造方法において、3-5族化合物半導体基板上に3-5族化合物半導体層を積したウェハ1上に、共振器形状のパターンをなすエッチング用第1マスク3a、4aおよび前記第1マスク3a、4aを覆うレジスト層6を有するエッチング用第2マスク9を順次積層し、次いで、第2マスク9を用いて、前記ウェハ1のエッチングレートが前記第2マスク9のレジスト層2、6のエッチングレートの2倍以上になるようにして、ウェハ1に第1のエッチングを施し、次いで、第1マスク10を用いて、ウェハ1に第2のエッチングを施して共振器面を形成する。
Claim (excerpt)：
エッチングにより形成した共振器面を有する半導体レーザ素子の製造方法において、3-5族化合物半導体基板上に3-5族化合物半導体層を積したウェハ上に、共振器形状のパターンをなすエッチング用第1マスクおよび前記第1マスクを覆うレジスト層を有するエッチング用第2マスクを順次積層し、次いで、第2マスクを用いて、前記ウェハのエッチングレートが前記第2マスクのレジスト層のエッチングレートの2倍以上になるようにして、ウェハに第1のエッチングを施し、次いで、第1マスクを用いて、ウェハに第2のエッチングを施して共振器面を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2)：
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