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J-GLOBAL ID：200903002912399492
CVD薄膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334681
Publication number (International publication number)：1995201736
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 MOCVDをおこなう場合においても、薄膜の均一度を確保でき、パーティクルの発生を起こすことがないCVD薄膜形成方法を得る。【構成】 基板表面3aに化学気相成長法により薄膜4を形成する場合に、薄膜形成室5内の内圧を0.1〜100Torrに設定するとともに、単一円管部材6の半径a(cm)、原料ガスの単一円管部材6内でのレイノルズ数Reと、基板表面から単一円管部材6の開口端部60までの鉛直離間距離L(cm)、基板保持台8の直径R(cm)、単一円管部材6の直径D(cm)との関係をL=αR、D=βR(但し、αは0.9〜1.2、βは、前記レイノズル数Reが1000以下の場合0.03以下、1000より大きい場合0.05以下)に維持して成膜をおこなう。
Claim (excerpt)：
内部が減圧可能な薄膜形成室(5)内に概円盤状の基板保持台(8)を配置し、前記基板保持台(8)の上部空間に開口する単一円管部材(6)より、前記基板保持台(8)上に配設される基板(3)上に原料ガスを供給して、前記基板表面(3a)に化学気相成長法により薄膜(4)を形成するCVD薄膜形成方法であって、前記薄膜形成室(5)内の内圧を0.1〜100Torrに設定するとともに、前記単一円管部材(6)の半径a(cm)、前記原料ガスの前記単一円管部材(6)内での流速V(cm/min)及び前記原料ガスの動粘性係数ν(cm2/min)との間で定義される前記原料ガス流れのレイノルズ数Re(Re=aV/ν)と、基板表面(3a)から前記単一円管部材(6)の開口端部(60)までの鉛直離間距離L(cm)、前記基板保持台(8)の直径R(cm)、前記単一円管部材(6)の直径D(cm)との関係を以下の関係L=αRD=βR但し、αは0.9〜1.2βは、前記レイノズル数Reが1000以下の場合0.03以下、1000より大きい場合0.05以下に維持して成膜をおこなうCVD薄膜形成方法。
Patent cited by the Patent：
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