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J-GLOBAL ID：200903002912592799

半導体ウエハの加熱処理方法及びその加熱処理装置

Inventor： 城墻 克弥
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 川崎 勝弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997289000
Publication number (International publication number)：1999087354
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡単な構成で半導体ウエハを均一に加熱することができるとともに、アウトドープによる品質の低下を抑制することのてきる半導体ウエハの加熱処理方法及びその加熱処理装置を提供すること。【解決手段】 イオン注入処理後の半導体ウエハ3を不純物拡散層を上面として載置する導電性の材料で形成されたウエハトレー15と、チャンバー12に設けられている絶縁管13の外部に配置されている誘導加熱コイル14とからなり、誘導加熱コイル14に通電して絶縁管13の内部に搬入されたウエハトレー15を誘導電流により発熱させて半導体ウエハ3を加熱処理する。

Claim (excerpt)：

イオン注入処理後の半導体ウエハを、イオンが注入された不純物拡散層を上面にしてその裏面全面を導電性の材料で形成されたウエハトレーに当接して載置し、前記半導体ウエハを載置したウエハトレーを誘導加熱コイルが発生する交番磁束内に配置し、前記交番磁束で前記ウエハトレーを発熱させ、前記発熱したウエハトレーにより前記半導体ウエハを加熱処理する半導体ウエハの加熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/324 J ,  H01L 21/265 602 Z