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J-GLOBAL ID：200903002925551170

半導体装置

Inventor： 小川 敏夫 ,  高橋 正昭 ,  神村 典孝 ,  合田 正広 ,  江口 州志 ,  鈴木 和弘 ,  服部 元信 ,  羽根井 博幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995103404
Publication number (International publication number)：1996298299
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：

【要約】【構成】パワー半導体素子を含む回路部を、熱膨張係数を特定した材質の樹脂系モールドで一体的に補強する。【効果】小型,高密度の半導体装置を低価格で提供することができる。

Claim (excerpt)：

金属基体表面の少なくとも一面が有機絶縁層によって、予め被覆された絶縁金属基板の前記有機絶縁層上に固着された能動素子及びもしくは受動素子と、それを電気的に接続する導体回路及び外部との入出力用端子とを有し、これら回路系が樹脂系モールドによって保護された構造のパワー半導体装置において、前記樹脂系モールドが一体的に構成され、前記モールドが実質的に単一の樹脂層からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3)：

H01L 23/28 E ,  H01L 23/30 R ,  H01L 25/04 C