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J-GLOBAL ID：200903002930031435

強誘電体薄膜メモリ素子及びその製造方法

Inventor： 末永 和史 ,  尾形 潔 ,  吉住 圭一 ,  森 光廣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000196262
Publication number (International publication number)：2002016234
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】高い残留分極値や小さい膜疲労を有する高性能な強誘電体キャパシタを実現し、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中の強誘電体薄膜12の結晶粒子間(粒界)に誘電体である微結晶あるいは非晶質粒子を充填することにより、高い残留分極値や小さい膜疲労(大きい書き換え可能回数)を得ることを可能とし、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を実現する。

Claim (excerpt)：

強誘電体薄膜コンデンサをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、該コンデンサは少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造からなり、該強誘電体薄膜の膜厚方向を法線とした面内において、結晶粒子間(粒界)に誘電体である微結晶あるいは非晶質粒子あるいは両者混在した粒子が充填されていることを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651

F-Term (10)：

5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34