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J-GLOBAL ID：200903002931499430

半導体レーザダイオードの製造方法

Inventor： テ・ギョン・リュ ,  ミョン・ハン・ゾ ,  ズ・オク・ソ ,  シ・ゾン・リム ,  ミン・ス・ロ
Applicant, Patent owner： エルジー電子株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995323544
Publication number (International publication number)：1997027654
Application date： Nov. 20, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 液相エピタキシの特性である液相エッチング現象を用いて高信頼性を有する高出力半導体レーザダイオードの製造方法を提供すること。【構成】 本発明の半導体レーザの製造方法は、基板上にDH構造の半導体層を形成してその上に誘電体層を形成させ、その誘電体層をエッチングして半導体層の所定部分を露出させる。その後、液相エッチング法で前記誘電膜をマスクとして半導体層を選択的にエッチングし、そのまま引き続いて前記エッチングされた部分に液相エピタキシで半導体層を再成長させる。

Claim (excerpt)：

基板上にDH構造の半導体層を形成する段階と、前記半導体層上に誘電膜を形成する段階と、前記誘電膜を選択的にエッチングして前記半導体層の所定部分を露出させる段階と、液相エッチング法で前記誘電膜をマスクとして前記露出した半導体層を選択的にエッチングし、引き続き前記エッチングされた部分に液相エピタキシで半導体層を再成長させる段階とを有することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-158888
  
• 特開平2-098989
  
• 特開昭55-162288
  
• 特開昭55-162288
  
• 特開平3-165086