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J-GLOBAL ID：200903002932945825

固体撮像素子

Inventor： 原田 耕一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998090175
Publication number (International publication number)：1999289076
Application date： Apr. 02, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 オーバーフローバリアが深く形成され、かつオーバーフローバリアに溜まったホールが排出されやすいようにすることにより、感度の向上を図ると共に良好な画像が得られる固体撮像素子を提供する。【解決手段】 第1導電型半導体基板2と、これの上に形成された第1の第2導電型半導体領域4と、さらにこれの上に形成された第1の第2導電型半導体領域より低濃度で赤外線が十分吸収されうる厚さの第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域5を有し、この第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域5の表面に画素を構成する受光部11が形成されて成る縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子1であって、縦方向に隣接する画素間に対応して第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域5内に第2の第2導電型領域21が形成された固体撮像素子1を構成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板と、上記第1導電型半導体基板上に形成された第1の第2導電型半導体領域と、上記第1の第2導電型半導体領域上に形成された上記第1の第2導電型半導体領域より低濃度で赤外線が十分吸収されうる厚さの第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域を有し、上記第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域の表面に画素を構成する受光部が形成されて成る縦型オーバーフロードレイン方式の固体撮像素子であって、縦方向に隣接する上記画素間に対応して上記第1導電型、第2導電型又は真性の半導体領域内に第2の第2導電型領域が形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。