Pat

J-GLOBAL ID：200903002941797448

半導体装置の製造方法

Inventor： 結城 勝 ,  田中 研一
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991286646
Publication number (International publication number)：1993129326
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 接合耐圧の低下の防止。【構成】 ゲート電極形成後に高濃度注入して第1導電型高濃度層(チャネル層)を有するNUDCを形成するといった方法をとらず、ゲート電極形成前に第1導電型半導体基板全域に第1導電型高濃度不純物注入して高濃度チャネル層を形成し、ゲート電極形成後NUDCの構造を形成するために第2導電型不純物をカウンタードープする。【効果】 従来のNUDCと同様にショートチャネルを抑える効果そをのままに維持しながら、接合耐圧の向上、及び高速化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

(i)第1導電型半導体基板上に、第1導電型不純物のチャネル注入を行って第1導電型高濃度層のNUDC層を形成し、(ii)第1導電型高濃度層の上にゲート電極を形成し、その後にイオン注入を第2導電型不純物で行い第1導電型低濃度層のNUDC層を形成し、(iii)しかる後、LDD形成用の第2導電型不純物のイオン注入を行い、第1導電型低濃度層のNUDC層にLDDの第2導電型低濃度層を形成し、(iv)ゲート電極のサイドウォールを形成した後第1導電型半導体基板上に第2導電型不純物のイオン注入を行って第2導電型高濃度層のソース・ドレイン層を形成し、NUDC構造のMOSFETを形成することからなる半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/265 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-090465
  
• 特開昭61-292963
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-272225   Applicant：シヤープ株式会社