Pat

J-GLOBAL ID：200903002947436277

記憶装置

Inventor： 野村 賀昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991232934
Publication number (International publication number)：1993073433
Application date： Sep. 12, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フラッシュEEPROMの許容書き換え回数を延ばし、長寿命化を図る。【構成】 ブロック毎に書き換えが可能なフラッシュEEPROMを利用した記憶装置に、各ブロックの書き換え回数を記憶する手段12と、ブロックを指定するアドレスについて論理アドレスから物理アドレスに変換する手段10を設け、書き換え回数が進むに従って物理アドレスに対応する論理アドレスを換えていく制御をし、各ブロックB1,B2,...の書換え回数の平均化を図る。

Claim (excerpt)：

複数のブロックにより構成され、ブロック毎に書き換え可能なフラッシュEEPROMを利用した記憶装置において、各ブロックの書き換え回数を記憶する手段と、ブロックを指定するアドレスについて論理アドレスから物理アドレスに変換する手段と、ブロック内のデータを書き換える際にそのブロックの書き換え回数を監視し一定の書き換え回数を越えた場合には書き換え回数の少ないブロックとデータおよび論理アドレスを交換する制御手段とを備えることを特徴とする記憶装置。

IPC (3)：

G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301