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J-GLOBAL ID：200903002951315794

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 田中 誠
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272768
Publication number (International publication number)：1993109730
Application date： Oct. 21, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】多層配線膜を有する半導装置において、配線間のコンタクト抵抗をさげる。【構成】従来平坦な部分で形成していた配線膜間のコンタクト部分を凹凸にし、コンタクト部分の表面積を増加させることによりコンタクト抵抗を低減する。SiH4を用いた熱CVD法により570〜590°Cで凹凸をもった下地配線を形成する【効果】高集積化にともなうコンタクトホールの小型化にも対応できる。

Claim (excerpt)：

配線と配線のコンタクト面を凹凸にすることを特徴とする多層配線をもった半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205