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J-GLOBAL ID：200903002952600786
半田バンプの構造及びその形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田下 明人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996168284
Publication number (International publication number)：1997331149
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ソルダーレジスト表面とICチップとの間で、樹脂封止を確実に行い得る半田バンプの構造及びその形成方法を提供する。【解決手段】 ソルダーレジスト42の開口部42aの2次めっき層38の上にめっき膜44を配設し、導体パッド40の高さをソルダーレジスト42の表面と同一面にすることにより、ICチップ50とソルダーレジスト42との隙間C2を大きくする。これにより、樹脂封止剤を浸入させ易くなり、封止樹脂の充填を完全に行うことができる。
Claim (excerpt)：
絶縁性樹脂膜の開口部に設けられた導体パッドと、前記導体パッドを露出させる開口部が形成され、該絶縁性樹脂膜に設けられたソルダーレジストと、前記ソルダーレジストの前記開口部の前記導体パッドに配設されためっき膜であって、前記ソルダーレジストの高さと略等しい高さに形成されためっき膜と、該めっき膜上に形成された半田体と、からなる成ることを特徴とする半田バンプの構造。
Patent cited by the Patent：
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