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J-GLOBAL ID：200903002955063528

ナノグラファイバの製造方法、ナノグラファイバ、ナノグラファイバを使用した構造物

Inventor：
坪井 利行

About 坪井 利行


Applicant, Patent owner：
双葉電子工業株式会社

About 双葉電子工業株式会社


Agent (1)： 大塚 秀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001044333
Publication number (International publication number)：2002212837
Application date： Jan. 16, 2001
Publication date： Jul. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ナノグラファイバを多量に製造することが可能なナノグラファイバの製造方法を提供すること。【解決手段】 チャンバ13内を5〜50Torrのガス雰囲気にして、1対の位置制御装置11、11によって1対の炭素電極1、1を所定間隔に維持しながら、放電用電源装置4から直流電流を供給することによってアーク放電を発生させ、これにより、陰極堆積物中にナノグラファイバを生成させる。
Claim (excerpt)：
チャンバ内に配設した1対の炭素電極間にアーク放電を生じさせることによりナノグラファイバを製造するナノグラファイバの製造方法において、5〜50Torrのガス雰囲気下でアーク放電を生じさせることによりナノグラファイバを製造するナノグラファイバの製造方法。
IPC (4)：
D01F 9/127 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101
FI (4)：
D01F 9/127 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F
F-Term (8)：
4G046CA01 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4L037CS04 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA05 ,  4L037UA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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