炭化珪素半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：和泉良彦 , 小林茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003035328
Publication number (International publication number)：2004247490
Application date： Feb. 13, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】電流増幅率hFEに優れた高耐圧炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】第1導電型のコレクタ領域であるN-型SiCエピタキシャル領域20と、N-型SiCエピタキシャル領域20上に形成される第2導電型のベース領域であるP-型多結晶シリコンベース領域30と、P-型多結晶シリコンベース領域30上に形成される第1導電型のエミッタ領域であるN+型多結晶シリコンエミッタ領域40と、第1導電型のコレクタ領域であるN-型SiCエピタキシャル領域20に接続するコレクタ電極90と、P-型多結晶シリコンベース領域30に接続するベース電極80と、N+型多結晶シリコンエミッタ領域40に接続するエミッタ電極70とを有する炭化珪素半導体装置を構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域上に形成される第2導電型のベース領域と、該ベース領域上に形成される第1導電型のエミッタ領域と、前記コレクタ領域に接続するコレクタ電極と、前記ベース領域に接続するベース電極と、前記エミッタ領域に接続するエミッタ電極とを有する炭化珪素半導体装置において、前記コレクタ領域が炭化珪素半導体から成り、前記ベース領域が、上記炭化珪素半導体とヘテロ接合を形成する半導体材料から成ることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/78

FI (5)：

H01L29/72 H , H01L29/78 652G , H01L29/78 652N , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A

F-Term (13)：

5F003AP04 , 5F003AP06 , 5F003BA93 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BC01 , 5F003BC02 , 5F003BE07 , 5F003BG06 , 5F003BJ15 , 5F003BM01 , 5F003BP05 , 5F003BP44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (19)

特開平2-003931
バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065247 Applicant：ローム株式会社
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-341150 Applicant：ローム株式会社

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