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J-GLOBAL ID：200903002960605363

半導体ウェハの支持方法

Inventor： 狛 豊 ,  田中 研三 ,  荒井 一尚
Applicant, Patent owner： 株式会社ディスコ
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002139166
Publication number (International publication number)：2003332280
Application date： May. 14, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 接着剤の融解を防止して被処理体を常温加工することが可能な新規かつ改良された半導体ウェハの支持方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ120を接着剤124で支持体122に貼り付けて支持する半導体ウェハの支持方法において,前記接着剤124の融解温度は,40〜95°Cの温度範囲にあり,かつ前記支持体122の熱伝導率は,100〜300W/mKの範囲にある,ことを特徴とする半導体ウェハの加工方法が提供される。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハを接着剤で支持体に貼り付けて支持する半導体ウェハの支持方法において,前記接着剤の融解温度は,40〜95°Cの温度範囲にあり,かつ前記支持体の熱伝導率は,100〜300W/mKの範囲にある,ことを特徴とする半導体ウェハの支持方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/68

FI (2)：

H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/68 N

F-Term (5)：

5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA80 ,  5F031MA22 ,  5F031PA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 被加工物用保護部材及びウエーハの研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241664   Applicant：株式会社ディスコ
• 特開平3-079671
  
• 半導体ウエーハの薄型化方法及び薄型半導体ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-143043   Applicant：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
• ウエ-ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ-ハ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-159872   Applicant：株式会社エンヤシステム
• 半導体ウエハの加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-260924   Applicant：日東電工株式会社
• 被加工物用保持剤およびそれを用いた被加工物の脱着方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-263751   Applicant：ニッタ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-255980   Applicant：株式会社日立製作所