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J-GLOBAL ID:200903002964675331
ダイオード保護半導体デバイス
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大貫 進介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994202903
Publication number (International publication number):1995086522
Application date: Aug. 05, 1994
Publication date: Mar. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 出力インピーダンス不整合によるかなりのパワー反射に耐えられる、無線周波増幅器の出力に適したダイオード保護半導体デバイスを提供する。【構成】 このデバイスは、ドレイン18をソース19に接続するダイオード対を有する電界効果トランジスタ(FET)14の形式でモノリシック構成が可能である。FETは、互いに結合された複数のトランジスタ部28からなる。ダイオード対は、互いに結合された対応するダイオード対部37からなる。この構成は、ダイオード対17を一般的なFET構造に容易に集積できる。
Claim (excerpt):
複数のトランジスタ部(28)からなるトランジスタ(14)であって、各トランジスタ部(28)が、延長部分(34)を有する長いゲート部(29)と、長いドレイン領域(36)と、長いソース領域(35)とによって構成され、前記長いドレイン領域(36)および前記長いソース領域(35)は、前記長いゲート部(29)をはさんで対置し、かつ前記長いゲート部(29)に平行に配置されるトランジスタ(14);複数のダイオード対部(37)からなるダイオード対であって、各ダイオード対部(37)は前記トランジスタ部(28)の1つに対応し、各ダイオード対部(37)は第1(40),第2(41)および第3(42)ドーピング領域からなるドーピング対;によって構成されるダイオード保護半導体デバイスにおいて:前記長いドレイン領域(36)および長いソース領域(35)が前記ゲート延長部分(34)を越えて延在して、前記第1(40)および第2(41)ドーピング領域をそれぞれ形成し、前記第3ドーピング領域(42)が前記第1(40)および第2(41)ドーピング領域を接続することを特徴とするダイオード保護半導体デバイス。
IPC (5):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
, H01L 21/329
, H01L 29/861
FI (4):
H01L 27/04 H
, H01L 29/78 301 K
, H01L 29/91 B
, H01L 29/91 K
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