Pat

J-GLOBAL ID：200903002964675331

ダイオード保護半導体デバイス

Inventor： チャールズ・イー・ウェイツェル ,  デイヴィッド・ジェイ・ハルチン
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202903
Publication number (International publication number)：1995086522
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 出力インピーダンス不整合によるかなりのパワー反射に耐えられる、無線周波増幅器の出力に適したダイオード保護半導体デバイスを提供する。【構成】 このデバイスは、ドレイン18をソース19に接続するダイオード対を有する電界効果トランジスタ(FET)14の形式でモノリシック構成が可能である。FETは、互いに結合された複数のトランジスタ部28からなる。ダイオード対は、互いに結合された対応するダイオード対部37からなる。この構成は、ダイオード対17を一般的なFET構造に容易に集積できる。

Claim (excerpt)：

複数のトランジスタ部(28)からなるトランジスタ(14)であって、各トランジスタ部(28)が、延長部分(34)を有する長いゲート部(29)と、長いドレイン領域(36)と、長いソース領域(35)とによって構成され、前記長いドレイン領域(36)および前記長いソース領域(35)は、前記長いゲート部(29)をはさんで対置し、かつ前記長いゲート部(29)に平行に配置されるトランジスタ(14);複数のダイオード対部(37)からなるダイオード対であって、各ダイオード対部(37)は前記トランジスタ部(28)の1つに対応し、各ダイオード対部(37)は第1(40),第2(41)および第3(42)ドーピング領域からなるドーピング対;によって構成されるダイオード保護半導体デバイスにおいて:前記長いドレイン領域(36)および長いソース領域(35)が前記ゲート延長部分(34)を越えて延在して、前記第1(40)および第2(41)ドーピング領域をそれぞれ形成し、前記第3ドーピング領域(42)が前記第1(40)および第2(41)ドーピング領域を接続することを特徴とするダイオード保護半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861

FI (4)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 K