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J-GLOBAL ID:200903002965026531

フッ化物薄膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 内山 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996181364
Publication number (International publication number):1998008252
Application date: Jun. 21, 1996
Publication date: Jan. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】炭素、酸素、有機物等の不純物混入が極めて少なく、高純度で、透明で、緻密なフッ化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】含フッ素ガスと揮発性有機金属化合物のガスとを、反応容器内で気相で反応させることによりフッ化物薄膜を製造する方法において、含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条件下でマイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガスプラズマをフッ素源とし、揮発性有機金属化合物のガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基体上にフッ化物を堆積させることを特徴とするフッ化物薄膜の製造方法。
Claim (excerpt):
含フッ素ガスと揮発性有機金属化合物のガスとを、反応容器内で気相で反応させることによりフッ化物薄膜を製造する方法において、含フッ素ガスを電子サイクロトロン共鳴条件下でマイクロ波により活性化して得られる含フッ素ガスプラズマをフッ素源とし、揮発性有機金属化合物のガスとプラズマ発生領域外で反応させて、基体上にフッ化物を堆積させることを特徴とするフッ化物薄膜の製造方法。
IPC (4):
C23C 16/22 ,  C03C 3/32 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/17
FI (4):
C23C 16/22 ,  C03C 3/32 ,  H01S 3/17 ,  G02B 6/12 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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