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J-GLOBAL ID：200903002965225321

プラズマエチング方法及びフォトマスクの製造方法

Inventor： 米田 郁男 ,  伊藤 信一 ,  金井 秀樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996124650
Publication number (International publication number)：1997306822
Application date： May. 20, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 プラズマエッチングによってマスク基板の表面にパターンを加工する際に、マスク基板の表面におけるエッチング速度の均一性を改善する。【解決手段】 本発明のプラズマエッチング方法は、表面にレジストによってパターン63aが形成された石英基板61を、反応性ガスプラズマを利用してエッチングする際に、前記パターン部63aに、被エッチング部61aと同等のエッチング速度を有するSOGの被膜66を、被エッチング部61aを目標の深さまでエッチングした後に当該被膜66の一部が残る厚さ以上の厚さで形成することによって、前記パターン部63aと被エッチング部61aとの間で、プラズマエッチングの過程において蓄積される荷電粒子による帯電量を均一化することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

表面にエッチングマスクによってパターンが形成された被加工材を、反応性ガスプラズマを利用してエッチングするプラズマエッチング方法において、前記エッチングマスクの上に、そのエッチング速度が被エッチング部のエッチング速度の80%以上、120%以下の材料からなる被膜を、被エッチング部を目標の深さまでエッチングした後に当該被膜の一部が残る厚さ以上の厚さで形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (7)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/3065

FI (8)：

H01L 21/30 528 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 A ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/14 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 J