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J-GLOBAL ID:200903002971018940

プラズマ生成装置、表面処理装置および表面処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 高久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993051117
Publication number (International publication number):1994053177
Application date: Mar. 11, 1993
Publication date: Feb. 25, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、電極面の広い範囲にわたって均一かつ強力な磁界を形成することにより、ウェハ表面上の全体にわたって均一な高密度プラズマを維持することのできる表面処理装置および表面処理方法を提供することを目的とする。【構成】 第1の電極7と、前記第1の電極に対向して配設された第2の電極2を備えた真空容器1と、該真空容器内に所定のガスを導入するガス供給手段と、該真空容器内を減圧下に維持する真空排気手段と、前記第1および第2の電極との間に電界を発生せしめる電界発生手段と、該真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発生手段とを具備し、前記磁界発生手段が、外周で環状をなすとともに着磁方向が前記環の半周で1回転可能なように配列された異なる磁石を含み、プラズマを発生するように構成している。
Claim (excerpt):
第1の電極と、前記第1の電極に対向して配設された第2の電極を備えた真空容器と、該真空容器内に所定のガスを導入するガス供給手段と、該真空容器内を減圧下に維持する真空排気手段と、前記第1および第2の電極との間に電界を発生せしめる電界発生手段と、該真空容器内に磁界を発生せしめる磁界発生手段とを具備し、前記磁界発生手段が、外周で環状をなすとともに、着磁方向が前記環の半周で1回転可能なように配列された異なる磁石を含み、プラズマを発生するように構成されていることを特徴とするプラズマ生成装置。
IPC (5):
H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 特開昭59-232420
  • 特開昭63-048826
  • 特開昭63-149374
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