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J-GLOBAL ID:200903002982975911

中空高温超電導体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡田 英彦 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993243016
Publication number (International publication number):1995099013
Application date: Sep. 29, 1993
Publication date: Apr. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 熱伝導性の良い、且つ機械的強度の高い中空高温超電導体を容易に製造できるようにすることを目的とする。【構成】 中空部3Aの内壁部3Bが銅の成分に富む中空高温超電導体3は、加熱により得られたセラミック高温超電導前駆体の融解物を所望の形状の金属容器に充填したあと、冷却し、更に、この融液固化物と一体になっている金属容器を加熱処理して、金属を酸化させるとともに、融液固化物との反応を利用して金属容器外面に超電導体を形成させることにより、融液固化物の充填部を中空化したものである。
Claim 1:
中空内壁部は金属成分に富む超電導結晶体で形成されるとともに外周部は金属成分の少ない超電導体で形成されたことを特徴とする中空高温超電導体。
IPC (3):
H01B 13/00 565 ,  H01B 13/00 561 ,  H01B 12/12 ZAA
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭63-248020
  • 特開昭63-248020
  • 特開平4-201303

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