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J-GLOBAL ID：200903002988755280

微小異物の検出方法

Inventor： 中川 善嗣 ,  添田 房美 ,  藤野 直彦 ,  狩野 勇 ,  和田 理 ,  黒川 博志 ,  堀 浩一郎 ,  服部 信美 ,  関根 正廣 ,  大森 雅司 ,  倉本 一雄 ,  小林 淳二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343374
Publication number (International publication number)：1998153603
Application date： Jun. 02, 1994
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウェハなどの試料平面上の微小異物の存在位置を短時間で効率よく検出し、選択的にその部分の3次元形状を測定することができる微小異物の検出方法を提供する。【構成】 試料表面にビーム光8を照射し、そのスポット部に焦点を合わせた顕微鏡16やフォトダイオードなどで暗視野部または明視野部から観察することにより、乱反射のあった位置を検出し、その座標(x1、y1)をx-yアクチュエータ12に登録し、走査型プローブ顕微鏡の探針の位置(x0、y0)との差分だけ試料または探針を移動させ、微小異物11の3次元形状を測定する。また、パーティクル検出装置で予め微小異物の位置を求めておき、走査型プローブ顕微鏡との座標のずれを考慮した範囲に前記ビーム光のスポット照射を行うものとして、検出、検査効率を高める。

Claim (excerpt)：

試料表面に微小異物検出用のビーム光を照射し、該微小異物による前記ビーム光の変化を観察することにより前記試料の微小異物のx-y面内の存在位置を検出することを特徴とする微小異物の検出方法。

IPC (4)：

G01N 37/00 ,  G01B 11/30 ,  G01B 21/30 ,  G01N 21/88

FI (4)：

G01N 37/00 A ,  G01B 11/30 C ,  G01B 21/30 Z ,  G01N 21/88 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭63-029537
  
• 特開昭49-008292
  
• 特開昭56-004040
  
• 特開昭63-029537
  
• 特開昭49-008292
  
• 特開昭56-004040