Pat

J-GLOBAL ID：200903002992887468

固体撮像装置の製造方法

Inventor： 越智 元隆 ,  内田 幹也
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小笠原 史朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006022175
Publication number (International publication number)：2007207828
Application date： Jan. 31, 2006
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

【課題】半導体装置、特にMOS型固体撮像装置のSTI段差を低くすることによって、誤作動及び画像欠陥を抑制する。【解決手段】シリコン窒化膜が堆積された後であってシリコントレンチが形成された半導体基板上に、STI埋め込み酸化膜を堆積するステップと、堆積してシリコントレンチからはみ出したSTI埋め込み酸化膜を、CMPによって除去するステップと、CMPによって除去されてできた表面の内、最も高い部分を除いた部分をレジストで被うステップと、STI埋め込み酸化膜の上面がほぼ同じ高さになるように、レジスト及びシリコン窒化膜をハードマスクとして用いてエッチングを行うステップとを備える。【選択図】図1F

Claim (excerpt)：

STI構造の素子分離を用いる半導体装置の製造方法であって シリコン窒化膜が堆積された後にシリコントレンチが形成された半導体基板上に、STI埋め込み酸化膜を堆積するステップと、 堆積して前記シリコントレンチからはみ出した前記STI埋め込み酸化膜を、CMPによって除去するステップと、 前記CMPによって除去されてできた表面の内、最も高い部分を除いた部分をレジストで被うステップと、 前記STI埋め込み酸化膜の上面がほぼ同じ高さになるように、前記レジスト及び前記シリコン窒化膜をハードマスクとして用いてエッチングを行うステップとを備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/146

FI (2)：

H01L21/76 L ,  H01L27/14 A

F-Term (14)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-302660   Applicant：株式会社東芝