半導体装置テストエレメントの製造方法及びその薄膜物性値測定方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999199923
Publication number (International publication number)：2001028385
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】被測定薄膜の物性値を半導体装置の薄膜の物性値に近いものとし、信頼性に優れた半導体装置の熱的設計を可能にする。【解決手段】半導体装置テストエレメントの製造方法及びその薄膜物性値測定方法において、薄膜を積層して半導体素子18を形成するウエハ1上に薄膜物性値を測定するためのテストエレメントグループ17の領域を確保し、このテストエレメントグループ17の領域に、半導体素子18を形成する薄膜の形成工程と同一工程で被測定薄膜7を形成すると共に、この被測定薄膜17の物性値を測定する。

Claim (excerpt)：

複数の薄膜を積層して半導体素子を形成するウエハ上に薄膜物性値を測定するためのテストエレメント領域を確保し、このテストエレメント領域に前記半導体素子を形成する薄膜の形成工程と同一工程で被測定薄膜を形成することを特徴とする半導体装置テストエレメントの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 , G01N 25/18

FI (3)：

H01L 21/66 Y , H01L 21/66 L , G01N 25/18 E

F-Term (20)：

2G040AB08 , 2G040AB09 , 2G040BA18 , 2G040BA26 , 2G040CA02 , 2G040CB04 , 2G040CB09 , 2G040DA02 , 2G040DA13 , 2G040EA02 , 2G040EB02 , 2G040EC04 , 2G040ZA05 , 4M106AA07 , 4M106AA10 , 4M106AA13 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CA70 , 4M106DH32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

モニタ装置用パターンを有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-213249 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭54-148485
交流カロリメトリによる熱拡散率測定方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-022935 Applicant：真空理工株式会社, 荒木信幸

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