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J-GLOBAL ID：200903003006104244

高誘電率体及びその製造方法

Inventor： 鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  澁谷 宗裕 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068789
Publication number (International publication number)：1993275646
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 TaおよびHfからなる酸化物であって、Hf元素のモル比率を0.01〜0.4の範囲の組成とすることにより、比誘電率が高く、絶縁性・耐熱性に優れた高誘電率体とする。【構成】 高誘電率体は、例えば減圧CVD法などにより、400°Cに加熱されたSiなどの半導体基体3上に、Ta(OC2 H5 )5 およびHf(O-i-C3 H7 )4 などの液体もしくは固体原料ガスを流量制御させたHeなどの不活性ガスによりバブリングして真空槽1内に導入し、気相中で分解させ、O2 ガスと反応させることにより薄膜形成できる。酸化ガスとして、O3 などの活性度の高いガスを用いることにより成膜温度を低温化することができる。

Claim (excerpt)：

TaおよびHfからなる酸化物であって、元素のモル比率が下記式で示される範囲の組成を有することを特徴とする高誘電率体。0.01≦Hf/(Ta+Hf)≦0.4

IPC (9)：

H01L 27/108 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/40 ,  H01B 3/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/316 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 25/04 C