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J-GLOBAL ID：200903003008337599

横型減圧CVD装置及びそのクリーニング方法

Inventor： 高橋 広成
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316567
Publication number (International publication number)：1995169693
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反応チャンバを装置から取り外さずにクリーニングできる横型減圧CVD装置及びそのクリーニング方法を得ることを目的とする。【構成】 石英管3の内壁に付着した堆積物は、フッ素含有化合物ガス例えばClF3ガスをClF3ガス供給源20からキャリアガスと共に石英管3内に導入して除去する。ClF3ガス等の導入-排気は、バルブ15a、15b、16a、16bによりフリップフロップ方式により石英管3の両方向から行う。【効果】 反応チャンバ等から発生するパーティクルを低減し、信頼性の高いVLSIを得ることができる。

Claim (excerpt)：

複数枚の半導体ウエハを横置きに収容する反応チャンバと、上記反応チャンバに反応性ガスを供給する反応性ガス供給源と、上記反応チャンバにキャリアガスを供給するキャリアガス供給源と、上記反応チャンバにフッ素含有化合物ガスを供給するフッ素含有化合物ガス供給源と、上記反応性ガス供給源、キャリアガス供給源及びフッ素含有化合物ガス供給源と上記反応チャンバの両端部とを接続する配管と、上記配管に設けられたガス導入バルブと、上記反応チャンバの両端部に接続された真空排気配管と、上記真空排気配管に設けられ、上記反応チャンバの両端部の一方から上記ガス導入バルブと連動してフリップフロップ方式で反応チャンバを排気するガス排気バルブと、上記真空排気配管に接続された真空排気手段とを備えたことを特徴とする横型減圧CVD装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-249411
  
• 特開平3-046234
  
• 特開平3-031479
  
• 特開平4-093017