強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西和哉 , 志賀正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007242466
Publication number (International publication number)：2009076574
Application date： Sep. 19, 2007
Publication date： Apr. 09, 2009
Summary：

【課題】リーク電流を抑制するとともに、強誘電体膜と上部電極との間の剥離も防止した強誘電体キャパシタの製造方法、及び強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1電極膜12a上に、有機金属化学気相堆積法によって第1強誘電体材料膜17aを形成する工程と、第1強誘電体材料膜17a上に、化学溶液堆積法によって第2強誘電体材料膜の前駆体膜19を形成する工程と、前駆体膜19を、ペロブスカイト型の結晶構造にならない温度で加熱し、乾燥・脱脂を行う工程と、前駆体膜19上に第2電極膜14aを形成する工程と、第2電極膜14a及び前駆体膜19を加熱し、第2電極膜14aに対して回復アニール処理を行うと同時に、前駆体膜19を結晶化しあるいは相転移させることでペロブスカイト型の結晶構造を有する第2強誘電体材料膜18aにする工程と、パターニングによって強誘電体キャパシタ3を形成する工程と、を含む。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基体上に第1電極膜を形成する工程と、前記第1電極膜上に、有機金属化学気相堆積法によって、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第1強誘電体材料膜を形成する工程と、前記第1強誘電体材料膜上に、化学溶液堆積法によって、第2強誘電体材料膜の前駆体膜を形成する工程と、前記前駆体膜を、該前駆体膜がペロブスカイト型の結晶構造にならない温度で加熱し、乾燥・脱脂を行う工程と、前記乾燥・脱脂後の前駆体膜上に、第2電極膜を形成する工程と、前記第2電極膜及び前記前駆体膜を加熱し、第2電極膜に対して回復アニール処理を行うと同時に、前駆体膜を結晶化しあるいは相転移させることでペロブスカイト型の結晶構造を有する第2強誘電体材料膜にする工程と、前記第2電極膜と前記第2強誘電体材料膜と前記第1強誘電体材料膜と前記第1電極膜とをパターニングし、下部電極と第1強誘電体層及び第2強誘電体層からなる強誘電体膜と上部電極とを有してなる強誘電体キャパシタを形成する工程と、を含むことを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 21/316

FI (3)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 444C , H01L21/316 M

F-Term (23)：

5F058BA11 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083PR16 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR25 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

強誘電体キャパシタをもつ半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-201616 Applicant：富士通株式会社

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