Pat

J-GLOBAL ID：200903003039511805

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 鐵 さおり ,  坂本 弘美
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199538
Publication number (International publication number)：1997051098
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 配線の両側面のみを陽極酸化する場合、配線上にレジストを残し、陽極酸化用端子部のみ剥き出しにする。この端子部のみ剥き出しにする方法として、剥離などの方法があるが、その際、トランジスタの不良をまねく恐れがある。【解決手段】 透光性基板1上の周辺に、トランジスタ下部に設けた遮光膜2と同じ金属からなる金属膜を形成し、その金属膜が部分的に露出するようにし、それ以外の部分は絶縁膜3およびゲート絶縁膜5を、基板周辺をマスクしてスパッタ法により堆積する、もしくはCVD法により堆積する。さらに、露出した遮光膜と同一の金属からなる金属膜上の一部にゲート電極6を成膜して、陽極酸化用端子部20を形成する。陽極酸化用端子部20の配線スペース19に配線をすることにより、ゲート電極6と陽極酸化用端子部20が電気的に導通がとれて、ゲート電極を陽極酸化することができる。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に、絶縁膜、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成してなる薄膜トランジスタにおいて、前記透光性基板の上のトランジスタ形成部の下側に金属からなる遮光膜を形成し、前記ゲート電極を導電性材料にて形成し、前記透光性基板の端部に、前記遮光膜と同じ金属からなる陽極酸化用端子を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 619 B