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J-GLOBAL ID：200903003040866463
半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991236646
Publication number (International publication number)：1993013878
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子における共振器端面における劣化を抑制でき、しかも高出力で高い信頼性を得る。【構成】 共振器の端面10aおよび10bに、活性層14よりも禁制帯幅が大きい半導体の窓層17aおよび17bをそれぞれ積層する。各窓層17aおよび17bは、共振器の半導体材料との格子不整合率による局所的な結晶欠陥の発生が抑制される厚さとされる。
Claim (excerpt)：
一対のクラッド層にて挟まれた活性層内における導波路にて励起されたレーザ光が共振器の端面から出射するように、半導体材料により構成された半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光が出射される一方の共振器端面に、前記活性層よりも禁制帯幅の大きい半導体により構成され、該半導体と共振器端面における半導体との格子不整合率による局所的な結晶欠陥の発生が抑制される厚さの窓層を有してなる半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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