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J-GLOBAL ID：200903003044650090
ダイナミックROMデータ読み出し回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993326664
Publication number (International publication number)：1995182900
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】縦積みNchトランジスタをROMセルとするダイナミックROMで、最低動作保証周波数で決まるダイナミックROMデータ保持の測定時間短縮を大規模なテスト回路を用いずに可能とする。【構成】テストモード切り替え信号Tをハイレベルにすることにより、ROMセル8〜15のゲートを全てハイレベル固定にし、ROMディスチャージ信号DRはローレベルで、アドレス信号A3を切り替え、Pchトランジスタ28でROMデータ保持容量29を充電した後、Pchトランジスタ28をオフにして保持容量電位VC1のハイレベルを読み出す。次にROMディスチャージ信号DRをハイレベルにしNchトランジスタ24,25をオンにして保持容量29の電荷を放電し、保持容量電位VC1のローレベルを読み出す。
Claim (excerpt)：
縦積みNchトランジスタをROMセルとするダイナミックROMを含む半導体集積回路において、前記ROMセルのゲートを全てハイレベルにする制御手段と、ダイナミックROMのデータ保持容量に電荷をプリチャージするPchトランジスタがオフの期間に、前記ダイナミックROMのデータ保持容量の電荷をディスチャージするNchトランジスタをオフからオンにする切り替え手段とを備えることを特徴とするダイナミックROMデータ読み出し回路。
IPC (2)：
G11C 29/00 303
, G11C 17/00
