Pat

J-GLOBAL ID：200903003054909599

半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置

Inventor： 山本 恭弘 ,  古川 千秋 ,  鵜飼 裕明 ,  山口 修平
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993325112
Publication number (International publication number)：1995182869
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】簡単な構成かつフラッシュライトのための回路のチップ面積の増大を抑えることができ、しかもフラッシュライトを確実に行うことができるようにする。【構成】半導体記憶素子がMOS構造の記憶素子からなる半導体記憶装置において、予め定めた複数の記憶素子のバックゲートに、そのMOS構造の記憶素子がラテラル構造のバイポーラ寄生トランジスタとなって動作する電圧を印加させて各記憶素子を同じ内容に書き換えるようにした。

Claim (excerpt)：

半導体記憶素子がMOS構造の記憶素子からなる半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、予め定めた複数の記憶素子のバックゲートに、該MOS構造の記憶素子がラテラル構造のバイポーラ寄生トランジスタとなって動作する電圧を印加させて各記憶素子を同じ内容に書き換えるようにした半導体記憶装置のデータ書き込み方法。

IPC (2)：

G11C 11/41 ,  H01L 27/10 371