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J-GLOBAL ID：200903003055693581

半導体レーザ

Inventor： 新田 康一 ,  渡邊 実 ,  岡島 正季
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992139230
Publication number (International publication number)：1993335683
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 素子抵抗を小さくすることができ、温度特性に優れた広ストライプ半導体レーザを提供すること。【構成】 InGaAlP系半導体材料からなり、アンドープInGaP活性層15をp型及びn型のInGaAlPクラッド層13,17で挟んだダブルヘテロ構造部と、活性層15における発光領域をストライプ状に制限する電流狭窄機構を備えた半導体レーザにおいて、活性層15とp型クラッド層17との間に、p型クラッド層17中の不純物が活性層15に拡散するのを防止する、p型クラッド層17よりもAlの組成比の小さいアンドープInGaAlP拡散防止層16とを設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体材料からなり、活性層をp型及びn型のクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部と、前記活性層とp型クラッド層との間に設けられ、p型クラッド層中の不純物が活性層に拡散するのを防止する拡散防止層と、前記活性層における発光領域をストライプ状に制限する電流狭窄手段とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ。