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J-GLOBAL ID：200903003059151112

β-FeSi2材料およびその作製方法

Inventor： 三宅 潔 ,  佐川 雅一 ,  大橋 健也 ,  峯村 哲郎 ,  林原 光男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997125271
Publication number (International publication number)：1998317086
Application date： May. 15, 1997
Publication date： Dec. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は熱電発電素子や赤外線発光素子および受光素子,光導波路素子などに使用されるβ-FeSi2 材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明はβ-FeSi2 中に含まれるマンガン,アルミニウム,コバルト,クロム,ニッケル以外の不純物元素の濃度が100ppm 以下であり、光学的バンドギャップが0.75eV〜1.0eVの範囲にあることを特徴とするβ-FeSi2材料。

Claim (excerpt)：

β-FeSi2 中に含まれるマンガン,アルミニウム,コバルト,クロム,ニッケル以外の不純物元素の濃度が100ppm 以下であり、光学的直接エネルギーバンドギャップが0.75eV以上〜0.9eV以下の範囲にあることを特徴とするβ-FeSi2 材料。

IPC (5)：

C22C 28/00 ,  C01B 33/06 ,  C22C 1/00 ,  C22C 33/00 ,  H01L 33/00

FI (6)：

C22C 28/00 B ,  C01B 33/06 ,  C22C 1/00 Q ,  C22C 1/00 L ,  C22C 33/00 ,  H01L 33/00 A