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J-GLOBAL ID：200903003062985180

メモリ装置のリフレッシュ方法

Inventor：
許 晃

About 許 晃

, 
金 泰 潤

About 金 泰 潤


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (3)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005134894
Publication number (International publication number)：2006147123
Application date： May. 06, 2005
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】 パイルドリフレッシュ方式を用いる半導体メモリ装置に適用することができる、リフレッシュ動作時の電力消費量が少ないリフレッシュ方法を提供すること。 【課題手段】 N個のバンクを有するメモリ装置のリフレッシュ方法において、セルフリフレッシュモードでは、N個のバンクすべてをリフレッシュする場合には、N個のバンクを順次リフレッシュするパイルドリフレッシュ方式によってリフレッシュ動作を実行し、N個のバンクのうち、i個(1≦i≦N-1)のバンクをリフレッシュする場合には、PASR方式によってリフレッシュ動作を実行し、オートリフレッシュモードでは、パイルドリフレッシュ方式によってリフレッシュ動作を実行する。【選択図】図3
Claim 1：
N個のバンクを有するメモリ装置のリフレッシュ方法において、 前記N個のバンクをすべてリフレッシュする場合には、パイルドリフレッシュ動作を実行し、 前記N個のバンクのうち、i個(1≦i≦N-1)のバンクをリフレッシュする場合には、パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)方式によってバーストリフレッシュ動作を実行することを特徴とするメモリ装置のリフレッシュ方法。
IPC (2)：
G11C 11/406 ,  G11C 11/403
FI (2)：
G11C11/34 363K ,  G11C11/34 363M
F-Term (14)：
5M024AA04 ,  5M024AA14 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024EE02 ,  5M024EE05 ,  5M024EE07 ,  5M024EE08 ,  5M024EE17 ,  5M024JJ03 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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