ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001107547
Publication number (International publication number)：2002303979
Application date： Apr. 05, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】高感度、高解像力を有し、基板との密着性が良好で、かつパターンのエッジラフネスが改良された化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】少なくとも(A1)スルホニウム塩と(A2)オキシムスルホネート化合物を含む、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、特定のラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)少なくとも(A1)スルホニウム塩と(A2)オキシムスルホネート化合物を含む、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I-1)〜(I-4)の少なくともいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I-1)〜(I-4)中;R1〜R5は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。R1〜R5の内の2つは、結合して環を形成してもよい。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (16)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CC20 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-299177 Applicant：信越化学工業株式会社
新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-255167 Applicant：信越化学工業株式会社
ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-330598 Applicant：東京応化工業株式会社

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